本文摘要：UV-LED单个芯片面积小，便于灵活性设计；但适当的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用于中无法符合低电磁辐射功率密度的拒绝，这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的最重要原因之一。

UV-LED单个芯片面积小，便于灵活性设计；但适当的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用于中无法符合低电磁辐射功率密度的拒绝，这也是目前UV-LED在众多领域很难替代UV放电灯的最重要原因之一。因此，随着UV-LED的发展，其PCB和系统设计也沦为注目的焦点。　　德国　　德国KIT的Schneider等明确提出了一种低功率密度的UV-LED模组，将98个395nm的LED芯片密集PCB在陶瓷基板上，可以构建较高的电磁辐射功率密度。

最初98个LED芯片通过银胶PCB在氧化铝陶瓷基板上，如图所示。单颗LED芯片输出电功率为1.65W，工作电流500mA，结温25℃，输入辐射功率为375mW。98个芯片串联，整个模组的仅次于输出功率为162W，PCB面积为2.11cm2，热功率密度超过59.2W/cm2。

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